Canal N 25 V 60A (Tc) 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
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SISA26DN-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SISA26DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SISA26DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SISA26DN-T1-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 25 V 60A (Tc) 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SISA26DN-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET® Gen IV
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,65mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2247 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Invólucro
PowerPAK® 1212-8
Número base de produto
SISA26
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,47000$ 1,47
10$ 0,92800$ 9,28
100$ 0,61460$ 61,46
500$ 0,48012$ 240,06
1.000$ 0,43683$ 436,83
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,38185$ 1.145,55
6.000$ 0,35417$ 2.125,02
9.000$ 0,34007$ 3.060,63
15.000$ 0,32424$ 4.863,60
21.000$ 0,31487$ 6.612,27
30.000$ 0,31300$ 9.390,00
Embalagem padrão do fabricante
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