
SIS890DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIS890DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 49 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIS890DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 23,5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 802 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,08000 | $ 2,08 |
| 10 | $ 1,32900 | $ 13,29 |
| 100 | $ 0,89610 | $ 89,61 |
| 500 | $ 0,71082 | $ 355,41 |
| 1.000 | $ 0,65123 | $ 651,23 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,57558 | $ 1.726,74 |
| 6.000 | $ 0,53752 | $ 3.225,12 |
| 9.000 | $ 0,51813 | $ 4.663,17 |
| 15.000 | $ 0,50625 | $ 7.593,75 |








