Canal N 60 V 15,8A (Ta), 52A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
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SIS862ADN-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SIS862ADN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIS862ADN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIS862ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIS862ADN-T1-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 60 V 15,8A (Ta), 52A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIS862ADN-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET® Gen IV
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
15,8A (Ta), 52A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
7,2mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1235 pF @ 30 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Invólucro
PowerPAK® 1212-8
Número base de produto
SIS862
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,56000$ 1,56
10$ 0,98400$ 9,84
100$ 0,65400$ 65,40
500$ 0,51220$ 256,10
1.000$ 0,46655$ 466,55
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,40857$ 1.225,71
6.000$ 0,37940$ 2.276,40
9.000$ 0,36453$ 3.280,77
15.000$ 0,34784$ 5.217,60
21.000$ 0,33900$ 7.119,00
Embalagem padrão do fabricante
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