Canal P 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
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SISS23DN-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SISS23DN-T1-GE3
Descrição
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Tempo de espera previsto do fabricante
49 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SISS23DN-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,5mOhm a 20A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
8840 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
4,8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
1212-8S PowerPAK®
Pacote / Invólucro
1212-8S PowerPAK®
Número base de produto
SISS23
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Em estoque: 18.986
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,60000$ 1,60
10$ 1,01300$ 10,13
100$ 0,67410$ 67,41
500$ 0,52856$ 264,28
1.000$ 0,48171$ 481,71
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,42223$ 1.266,69
6.000$ 0,39229$ 2.353,74
9.000$ 0,37704$ 3.393,36
15.000$ 0,35992$ 5.398,80
21.000$ 0,35238$ 7.399,98
Embalagem padrão do fabricante