Canal P 20 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
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SIS435DNT-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SIS435DNT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIS435DNT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIS435DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIS435DNT-T1-GE3
Descrição
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Tempo de espera previsto do fabricante
49 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 20 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIS435DNT-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
5,4mOhm a 13A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
180 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
5700 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Invólucro
PowerPAK® 1212-8
Número base de produto
SIS435
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Em estoque: 12.160
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,43000$ 1,43
10$ 0,89700$ 8,97
100$ 0,59330$ 59,33
500$ 0,46284$ 231,42
1.000$ 0,42083$ 420,83
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,36748$ 1.102,44
6.000$ 0,34062$ 2.043,72
9.000$ 0,32694$ 2.942,46
15.000$ 0,31157$ 4.673,55
21.000$ 0,30248$ 6.352,08
30.000$ 0,29913$ 8.973,90
Embalagem padrão do fabricante
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