
SIRB40DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIRB40DP-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 40V 40A (Tc) 46,2W Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIRB40DP-T1-GE3 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 2,4V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 45nC a 4,5V |
Séries | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4290pF a 20V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Potência - Máx. 46,2W |
Part Status Ativo | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Configuração 2 canais N (duplo) | Pacote / Invólucro SO-8 Dual PowerPAK® |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40V | Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 Dual PowerPAK® |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc) | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,25mOhm a 10A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,52000 | $ 2,52 |
| 10 | $ 1,61900 | $ 16,19 |
| 100 | $ 1,10340 | $ 110,34 |
| 500 | $ 0,88280 | $ 441,40 |
| 1.000 | $ 0,81188 | $ 811,88 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,72186 | $ 2.165,58 |
| 6.000 | $ 0,67658 | $ 4.059,48 |
| 9.000 | $ 0,65800 | $ 5.922,00 |


