Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.69 USD
Availability: InStock

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SIR878BDP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR878BDP-T1-RE3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12A (Ta), 42,5A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR878BDP-T1-RE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 38 nC @ 10 V
Séries TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1850 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 62,5W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta), 42,5A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Número base de produto SIR878
Rds on (máx.) para Id, Vgs 14,4mOhm a 15A, 10V