Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.29 USD
Availability: OutOfStock

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Preço unitário : $ 1,60000

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SIR681DP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR681DP-T1-RE3
Descrição	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR681DP-T1-RE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17,6A (Ta), 71,9A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,2mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,6V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4850 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIR681