
SIR5812DP-T1-RE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIR5812DP-T1-RE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 80 V 13A (Ta), 45,3A (Tc) 4,1W (Ta), 50W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 13,5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 775 pF @ 40 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 4,1W (Ta), 50W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SO-8 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,48000 | $ 1,48 |
| 10 | $ 0,93200 | $ 9,32 |
| 100 | $ 0,61770 | $ 61,77 |
| 500 | $ 0,48260 | $ 241,30 |
| 1.000 | $ 0,43913 | $ 439,13 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,38391 | $ 1.151,73 |
| 6.000 | $ 0,35612 | $ 2.136,72 |
| 9.000 | $ 0,34196 | $ 3.077,64 |
| 15.000 | $ 0,32606 | $ 4.890,90 |
| 21.000 | $ 0,31665 | $ 6.649,65 |
| 30.000 | $ 0,31500 | $ 9.450,00 |






