Canal N 100 V 12,6A (Ta), 42,6A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
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SIR5112DP-T1-RE3

Número de produto da DigiKey
742-SIR5112DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SIR5112DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SIR5112DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIR5112DP-T1-RE3
Descrição
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 12,6A (Ta), 42,6A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIR5112DP-T1-RE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12,6A (Ta), 42,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
14,9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
790 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro
SO-8 PowerPAK®
Número base de produto
SIR5112
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Em estoque: 4.847
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,71000$ 2,71
10$ 1,74200$ 17,42
100$ 1,19220$ 119,22
500$ 0,95694$ 478,47
1.000$ 0,88740$ 887,40
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,78529$ 2.355,87
6.000$ 0,73701$ 4.422,06
9.000$ 0,72500$ 6.525,00
Embalagem padrão do fabricante