Name: SIR418DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR418DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.03 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIR418DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR418DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR418DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR418DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR418DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 40A (Tc) 39W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 75 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2410 pF @ 20 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5mOhm a 20A, 10V	Número base de produto SIR418