SIHU5N50D-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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Vishay Siliconix

Em estoque: 1.484

Preço unitário : $ 2,67000

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SIHU5N50D-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHU5N50D-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHU5N50D-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Furo passante TO-251AA
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 10 V
Embalagem Tubo	Vgs (máx.) ±30V
Part Status Obsoleto	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 325 pF @ 100 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 500 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,3A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-251AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-251-3 condutores curtos, IPAK, TO-251AA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5Ohm a 2,5A, 10V	Número base de produto SIHU5

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IRF830PBF	Vishay Siliconix	1.484	IRF830PBF-ND	$ 2,67000	Recomendado pelo fabricante

Obsoleto

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SIHU5N50D-GE3