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SIHP28N65EF-GE3 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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SIHP28N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHP28N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHP28N65EF-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 26 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Furo passante TO-220AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHP28N65EF-GE3 Modelos |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 146 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3249 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 250W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AB |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 117mOhm a 14A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (5)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | $ 6,64000 | Similar |
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND | $ 7,74000 | Similar |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 450 | IPP60R099CPXKSA1-ND | $ 9,51000 | Similar |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15561-5-ND | $ 6,53000 | Similar |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25E60XS1X-ND | $ 6,59000 | Similar |
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 3,57434 | $ 3.574,34 |
