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Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

IRLR014PBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 2,15000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRLR014TRLPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,55844
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRLR014TRPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 2,15000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

SIHLR014TRL-GE3
Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,24086
Ficha técnica
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Novo na DigiKey
Canal N 60 V 7,7A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
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SIHLR014-GE3

Número de produto da DigiKey
742-SIHLR014-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHLR014-GE3
Descrição
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Tempo de espera previsto do fabricante
31 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 60 V 7,7A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
E
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
7,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
200mOhm a 4,6A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id
2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
400 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2,5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Pacote / Invólucro
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,24962$ 748,86
6.000$ 0,24307$ 1.458,42
9.000$ 0,23979$ 2.158,11
15.000$ 0,23616$ 3.542,40
21.000$ 0,23403$ 4.914,63
30.000$ 0,23199$ 6.959,70
Embalagem padrão do fabricante