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Equivalente paramétrico

IRFS9N60APBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 75
Preço unitário : $ 4,89000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRFS9N60ATRLPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 895
Preço unitário : $ 4,89000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRFS9N60ATRRPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 800
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Canal N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHFS9N60A-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHFS9N60A-GE3-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHFS9N60A-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
9,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
750mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1400 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SIHFS9
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
1.000$ 0,95579$ 955,79
2.000$ 0,88904$ 1.778,08
3.000$ 0,86375$ 2.591,25
Embalagem padrão do fabricante