Equivalente paramétrico
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SIHD7N60ET4-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHD7N60ET4-GE3-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHD7N60ET4-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 680 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 78W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 600mOhm a 3,5A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | $ 0,99792 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | $ 2,93000 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | $ 0,80207 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | $ 0,72290 | Equivalente paramétrico |
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | 8.744 | IPD80R450P7ATMA1CT-ND | $ 2,69000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,72290 | $ 2.168,70 |
| 6.000 | $ 0,71250 | $ 4.275,00 |









