Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 3.06 USD
Availability: InStock

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SIHD6N80E-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHD6N80E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHD6N80E-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 44 nC @ 10 V
Séries E	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Granel	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 827 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,4A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto SIHD6
Rds on (máx.) para Id, Vgs 940mOhm a 3A, 10V

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
TK5P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3.664	TK5P60WRVQCT-ND	$ 3,26000	Similar

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