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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHD6N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 25 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHD6N65E-GE3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 600mOhm a 3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 820 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 78W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-252AA | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 1.863
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,34000 | $ 2,34 |
| 75 | $ 1,06720 | $ 80,04 |
| 150 | $ 0,96173 | $ 144,26 |
| 525 | $ 0,81170 | $ 426,14 |
| 1.050 | $ 0,74675 | $ 784,09 |
| 2.025 | $ 0,69477 | $ 1.406,91 |
| 5.025 | $ 0,65000 | $ 3.266,25 |
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