SIHD5N50D-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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Canal N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície DPAK
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHD5N50D-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHD5N50D-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHD5N50D-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
20 nC @ 10 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Obsoleto
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
325 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
104W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
500 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
DPAK
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,5Ohm a 2,5A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (11)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
IRF830PBFVishay Siliconix2.474IRF830PBF-ND$ 2,67000Recomendado pelo fabricante
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Obsoleto
Este produto não é mais fabricado. Ver Substitutos.