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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHD2N80AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 180 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 62,5W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9Ohm a 500mA, 10V |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,88000 | $ 1,88 |
| 10 | $ 1,19600 | $ 11,96 |
| 100 | $ 0,80230 | $ 80,23 |
| 500 | $ 0,63354 | $ 316,77 |
| 1.000 | $ 0,57924 | $ 579,24 |
| 3.000 | $ 0,51031 | $ 1.530,93 |
| 6.000 | $ 0,47562 | $ 2.853,72 |
| 12.000 | $ 0,44647 | $ 5.357,64 |
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