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SIHD1K4N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHD1K4N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHD1K4N60E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 4,2A (Tc) 63W (Tc) Montagem em superfície DPAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 7.5 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 172 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 63W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido DPAK |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,45Ohm a 500mA, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD7N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1483-1-ND | $ 1,77000 | Similar |
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | 39.570 | IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND | $ 0,97000 | Similar |
| IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | 11.281 | 448-IPD65R1K4C6ATMA1CT-ND | $ 1,47000 | Similar |
| SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 15.882 | 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND | $ 1,83000 | Similar |
| STD5N60DM2 | STMicroelectronics | 355 | 497-16928-1-ND | $ 1,44000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,82000 | $ 1,82 |
| 10 | $ 1,15200 | $ 11,52 |
| 100 | $ 0,77170 | $ 77,17 |
| 500 | $ 0,60838 | $ 304,19 |
| 1.000 | $ 0,55585 | $ 555,85 |
| 2.000 | $ 0,51166 | $ 1.023,32 |
| 6.000 | $ 0,45558 | $ 2.733,48 |
| 10.000 | $ 0,43432 | $ 4.343,20 |





