Canal N 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Montagem em superfície DPAK
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHD180N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHD180N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHD180N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
32 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±30V
Embalagem
Tubo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1080 pF @ 100 V
Part Status
Ativo
Dissipação de potência (máx.)
156W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Invólucro do dispositivo fornecido
DPAK
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
195mOhm a 9,5A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (1)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
TSM60NE285CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation4.9751801-TSM60NE285CPROGCT-ND$ 3,98000Similar
Em estoque: 2.271
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 4,13000$ 4,13
10$ 2,70500$ 27,05
100$ 1,89720$ 189,72
500$ 1,55232$ 776,16
1.000$ 1,44153$ 1.441,53
3.000$ 1,30101$ 3.903,03
6.000$ 1,28875$ 7.732,50
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.