Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB33N60EF-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHB33N60EF-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Category
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
155 nC @ 10 V
Embalagem
Granel
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3454 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
278W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
98mOhm a 16,5A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Em estoque: 966
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 8,22000$ 8,22
10$ 5,57800$ 55,78
100$ 4,08230$ 408,23
500$ 3,44518$ 1.722,59
1.000$ 3,25000$ 3.250,00
Embalagem padrão do fabricante