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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB33N60E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 150 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3508 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 278W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 99mOhm a 16,5A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (11)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3.220 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | $ 8,26000 | Similar |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | $ 10,24000 | Similar |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | $ 9,51000 | Similar |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2.682 | IPB60R125C6ATMA1CT-ND | $ 6,92000 | Similar |
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 1.158 | IPB60R125CPATMA1CT-ND | $ 7,25000 | Similar |
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 7,30000 | $ 7,30 |
| 10 | $ 4,92200 | $ 49,22 |
| 100 | $ 3,57540 | $ 357,54 |
| 500 | $ 3,00160 | $ 1.500,80 |
| 1.000 | $ 2,81745 | $ 2.817,45 |
| 2.000 | $ 2,77500 | $ 5.550,00 |
