Name: SIHB24N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB24N65EF-GE3-ND
Price: 6.68 USD
Availability: OutOfStock

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SIHB24N65EF-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHB24N65EF-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHB24N65EF-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIHB24N65EF-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	E
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	156mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2774 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SIHB24

SIHB24N65EF-GE3