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SIHB23N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB23N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB23N60E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 95 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2418 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 158mOhm a 12A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 1.119 | 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND | $ 6,15000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4.207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $ 7,82000 | Similar |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | $ 3,20113 | Similar |
| IXFA30N60X | IXYS | 0 | IXFA30N60X-ND | $ 3,61063 | Similar |
| IXTA24N65X2 | IXYS | 0 | IXTA24N65X2-ND | $ 7,65000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 5,20000 | $ 5,20 |
| 50 | $ 2,69620 | $ 134,81 |
| 100 | $ 2,45380 | $ 245,38 |
| 500 | $ 2,02900 | $ 1.014,50 |
| 1.000 | $ 1,89260 | $ 1.892,60 |
| 2.000 | $ 1,77799 | $ 3.555,98 |
| 5.000 | $ 1,76375 | $ 8.818,75 |






