SIHB23N60E-GE3 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB23N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB23N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHB23N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
95 nC @ 10 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2418 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
227W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
158mOhm a 12A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (8)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
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Em estoque: 0
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 5,20000$ 5,20
50$ 2,69620$ 134,81
100$ 2,45380$ 245,38
500$ 2,02900$ 1.014,50
1.000$ 1,89260$ 1.892,60
2.000$ 1,77799$ 3.555,98
5.000$ 1,76375$ 8.818,75
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.