Equivalente paramétrico
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SIHB22N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB22N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB22N60E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1920 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60E-E3-ND | $ 1,85000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 410 | SIHB22N60ET1-GE3CT-ND | $ 4,84000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60ET5-GE3-ND | $ 1,88393 | Equivalente paramétrico |
| AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 365 | 785-1247-1-ND | $ 4,84000 | Similar |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9.892 | 785-1248-1-ND | $ 5,67000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 5,04000 | $ 5,04 |
| 50 | $ 2,61940 | $ 130,97 |
| 100 | $ 2,38540 | $ 238,54 |
| 500 | $ 2,14600 | $ 1.073,00 |










