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SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB22N60AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB22N60AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB22N60AE-GE3 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 96 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1451 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 179W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V |
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Substitutos (10)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1.795 | FCB20N60FTMCT-ND | $ 7,02000 | Similar |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1.095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | $ 4,24000 | Similar |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2.045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | $ 3,12000 | Similar |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3.086 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | $ 4,19000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4.207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $ 7,04000 | Similar |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 2,13906 | $ 2.139,06 |
