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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB21N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB21N80AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 25 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB21N80AE-GE3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 235mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 32W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 655
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 3,89000 | $ 3,89 |
| 10 | $ 2,55100 | $ 25,51 |
| 100 | $ 1,79010 | $ 179,01 |
| 500 | $ 1,46522 | $ 732,61 |
| 1.000 | $ 1,36087 | $ 1.360,87 |
| 2.000 | $ 1,30388 | $ 2.607,76 |
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