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SIHB15N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB15N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB15N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 15A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 96 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 34W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 280mOhm a 8A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
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| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 1,63597 | $ 1.635,97 |




