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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB11N80AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modelos |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 42 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 804 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 78W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 450mOhm a 5,5A, 10V |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 3,12000 | $ 3,12 |
| 10 | $ 2,02100 | $ 20,21 |
| 100 | $ 1,39440 | $ 139,44 |
| 500 | $ 1,12644 | $ 563,22 |
| 1.000 | $ 1,04034 | $ 1.040,34 |
| 2.000 | $ 0,96795 | $ 1.935,90 |
| 5.000 | $ 0,88968 | $ 4.448,40 |
| 10.000 | $ 0,88125 | $ 8.812,50 |
