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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB11N80AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 25 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 450mOhm a 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 804 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 78W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 894
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,92000 | $ 2,92 |
| 10 | $ 1,88900 | $ 18,89 |
| 100 | $ 1,30320 | $ 130,32 |
| 500 | $ 1,05274 | $ 526,37 |
| 1.000 | $ 0,97228 | $ 972,28 |
| 2.000 | $ 0,90463 | $ 1.809,26 |
| 5.000 | $ 0,88125 | $ 4.406,25 |
Brasil