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Canal N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8 BWL
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Canal N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8 BWL
8 PowerDFN

SIEH4800EW-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIEH4800EW-T1-GE3
Descrição
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8 BWL
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,15mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
29000 pF @ 40 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PowerPAK® 8 x 8 BWL
Pacote / Invólucro
8-PowerDFN
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Em estoque: 2.894
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 6,61000$ 6,61
10$ 4,43700$ 44,37
100$ 3,20290$ 320,29
500$ 2,97738$ 1.488,69
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 2,43250$ 7.297,50
Embalagem padrão do fabricante
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3 Itens
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