Canal N 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
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Canal N 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668ADP-T1-RE3

Número de produto da DigiKey
742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIDR668ADP-T1-RE3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIDR668ADP-T1-RE3 Modelos
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Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3750 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
6,25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8DC PowerPAK®
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 3,97000$ 3,97
10$ 2,59800$ 25,98
100$ 1,81830$ 181,83
500$ 1,49726$ 748,63
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 1,24235$ 3.727,05
6.000$ 1,22325$ 7.339,50
Embalagem padrão do fabricante