Canal N 25 V 92,8A (Ta), 415A (Tc) 6,25W (Ta), 415W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
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Canal N 25 V 92,8A (Ta), 415A (Tc) 6,25W (Ta), 415W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR220EP-T1-RE3

Número de produto da DigiKey
742-SIDR220EP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SIDR220EP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIDR220EP-T1-RE3
Descrição
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 25 V 92,8A (Ta), 415A (Tc) 6,25W (Ta), 415W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET® Gen IV
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
92,8A (Ta), 415A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,58mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
10850 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
6,25W (Ta), 415W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8DC PowerPAK®
Pacote / Invólucro
SO-8 PowerPAK®
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Quantidade
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 5,07000$ 5,07
10$ 3,35300$ 33,53
100$ 2,38120$ 238,12
500$ 2,08156$ 1.040,78
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 1,70063$ 5.101,89
Embalagem padrão do fabricante