
SIA817EDJ-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIA817EDJ-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 30 V 4,5A (Tc) 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 Dual PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIA817EDJ-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 65mOhm a 3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 600 pF @ 15 V | |
Característica FET | Diodo Schottky (isolado) | |
Dissipação de potência (máx.) | 1,9W (Ta), 6,5W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SC-70-6 Dual PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,76000 | $ 0,76 |
| 10 | $ 0,47300 | $ 4,73 |
| 100 | $ 0,30520 | $ 30,52 |
| 500 | $ 0,23268 | $ 116,34 |
| 1.000 | $ 0,20928 | $ 209,28 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,17954 | $ 538,62 |
| 6.000 | $ 0,16456 | $ 987,36 |
| 9.000 | $ 0,15692 | $ 1.412,28 |
| 15.000 | $ 0,14834 | $ 2.225,10 |
| 21.000 | $ 0,14326 | $ 3.008,46 |
| 30.000 | $ 0,13832 | $ 4.149,60 |










