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SIA453EDJ-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIA453EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIA453EDJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIA453EDJ-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 30 V 24A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIA453EDJ-T1-GE3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 18,5mOhm a 5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 66 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1900 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |
Temperatura de operação | -50°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SC-70-6 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
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