Canal N 100 V 11,3A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK®
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SIA416DJ-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SIA416DJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIA416DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIA416DJ-T1-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
42 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 11,3A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIA416DJ-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
11,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
83mOhm a 3,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
295 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SC-70-6 PowerPAK®
Pacote / Invólucro
SC-70-6 PowerPAK®
Número base de produto
SIA416
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Em estoque: 1.263
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,16000$ 1,16
10$ 0,72700$ 7,27
100$ 0,47600$ 47,60
500$ 0,36810$ 184,05
1.000$ 0,33334$ 333,34
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,28918$ 867,54
6.000$ 0,26695$ 1.601,70
9.000$ 0,25562$ 2.300,58
15.000$ 0,24289$ 3.643,35
21.000$ 0,23536$ 4.942,56
30.000$ 0,22804$ 6.841,20
Embalagem padrão do fabricante
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