Name: SI8806DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8806DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.84 USD
Availability: InStock

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SI8806DB-T2-E1
Número de produto da DigiKey	SI8806DB-T2-E1TR-ND - Fita e carretel (TR) SI8806DB-T2-E1CT-ND - Fita cortada (CT) SI8806DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI8806DB-T2-E1
Descrição	MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 12 V 2,8A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície 4-Microfoot
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 43mOhm a 1A, 4,5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 17 nC @ 8 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 12 V	Invólucro do dispositivo fornecido 4-Microfoot
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,8A (Ta)	Pacote / Invólucro 4-XFBGA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Número base de produto SI8806

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Fita e carretel (TR)

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SI8806DB-T2-E1