
SI7998DP-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI7998DP-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 25A, 30A 22W, 40W Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI7998DP-T1-GE3 Modelos |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,3mOhm a 15A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26nC a 10V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1100pF a 15V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 22W, 40W |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Característica FET Porta de nível lógico | Pacote / Invólucro SO-8 Dual PowerPAK® |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V | Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 Dual PowerPAK® |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 25A, 30A | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM085NB03DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4.973 | 1801-TSM085NB03DCRRLGCT-ND | $ 1,73000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,29000 | $ 2,29 |
| 10 | $ 1,46200 | $ 14,62 |
| 100 | $ 0,99120 | $ 99,12 |
| 500 | $ 0,78952 | $ 394,76 |
| 1.000 | $ 0,72467 | $ 724,67 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,64235 | $ 1.927,05 |
| 6.000 | $ 0,60094 | $ 3.605,64 |
| 9.000 | $ 0,57985 | $ 5.218,65 |
| 15.000 | $ 0,57500 | $ 8.625,00 |




