Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.5 USD
Availability: InStock

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SI6423DQ-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI6423DQ-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 8,2A (Ta) 1,05W (Ta) Montagem em superfície 8-TSSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI6423DQ-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,5mOhm a 9,5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	800mV a 400µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	110 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,05W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSSOP
Pacote / Invólucro	8-TSSOP (largura 0,173", 4,40mm)
Número base de produto	SI6423