SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

SI4936BDY-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI4936BDY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4936BDY-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 6,9A 2,8W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,9A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	35mOhm a 5,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	530pF a 15V
Potência - Máx.	2,8W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	SI4936