
SI4532CDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4532CDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 6A, 4,3A 2,78W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4532CDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | Canal N e P | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 6A, 4,3A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 47mOhm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 9nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 305pF a 15V | |
Potência - Máx. | 2,78W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,14000 | $ 1,14 |
| 10 | $ 0,71200 | $ 7,12 |
| 100 | $ 0,46580 | $ 46,58 |
| 500 | $ 0,35990 | $ 179,95 |
| 1.000 | $ 0,32578 | $ 325,78 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2.500 | $ 0,26994 | $ 674,85 |
| 5.000 | $ 0,25375 | $ 1.268,75 |





