
SI4532CDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4532CDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 6A, 4,3A 2,78W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4532CDY-T1-GE3 Modelos |
Category | Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9nC a 10V |
Séries | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 305pF a 15V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Potência - Máx. 2,78W |
Part Status Ativo | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Configuração Canal N e P | Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V | Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A, 4,3A | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 47mOhm a 3,5A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,14000 | $ 1,14 |
| 10 | $ 0,71200 | $ 7,12 |
| 100 | $ 0,46580 | $ 46,58 |
| 500 | $ 0,35990 | $ 179,95 |
| 1.000 | $ 0,32578 | $ 325,78 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2.500 | $ 0,26994 | $ 674,85 |
| 5.000 | $ 0,25375 | $ 1.268,75 |





