Canal P 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
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SI4143DY-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante
Número de produto do fabricante
SI4143DY-T1-GE3
Descrição
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SI4143DY-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
6,2mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6630 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TA)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOIC
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,16000$ 1,16
10$ 0,73000$ 7,30
100$ 0,47970$ 47,97
500$ 0,37208$ 186,04
1.000$ 0,33742$ 337,42
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2.500$ 0,29987$ 749,68
5.000$ 0,27667$ 1.383,35
7.500$ 0,26484$ 1.986,30
12.500$ 0,25156$ 3.144,50
17.500$ 0,24813$ 4.342,27
Embalagem padrão do fabricante