Name: SI4062DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4062DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.43 USD
Availability: InStock

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SI4062DY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI4062DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4062DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4062DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4062DY-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 32,1A (Tc) 7,8W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,2mOhm a 20A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 2,6V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3175 pF @ 30 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 7,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 32,1A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI4062

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Embalagem padrão do fabricante

SI4062DY-T1-GE3