SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix | Matrizes de FET, MOSFET

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SI3590DV-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI3590DV-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3590DV-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3590DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3590DV-T1-E3
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 2,5A, 1,7A 830mW Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 77mOhm a 3A, 4,5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 4,5nC a 4,5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 830mW
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Configuração Canal N e P	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Característica FET Porta de nível lógico	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V	Número base de produto SI3590
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,5A, 1,7A

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Recursos adicionais

Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SI3590DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	33	SI3590DV-T1-GE3CT-ND	$ 1,39000	Equivalente paramétrico
AO6601	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1076-2-ND	$ 0,17280	Similar
NTGD4167CT1G	onsemi	973.888	NTGD4167CT1GOSCT-ND	$ 1,02000	Similar