Name: SI3443CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3443CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.85 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI3443CDV-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI3443CDV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3443CDV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3443CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3443CDV-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 5,97A (Tc) 2W (Ta), 3,2W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12.4 nC @ 5 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±12V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 610 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 3,2W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,97A (Tc)	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Número base de produto SI3443
Rds on (máx.) para Id, Vgs 60mOhm a 4,7A, 4,5V