
SI3129DV-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI3129DV-T1-GE3 |
Descrição | P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 82,7mOhm a 3,8A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 805 pF @ 40 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 6-TSOP | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,44000 | $ 1,44 |
| 10 | $ 0,90900 | $ 9,09 |
| 100 | $ 0,60160 | $ 60,16 |
| 500 | $ 0,46954 | $ 234,77 |
| 1.000 | $ 0,42704 | $ 427,04 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,37305 | $ 1.119,15 |
| 6.000 | $ 0,34588 | $ 2.075,28 |
| 9.000 | $ 0,33203 | $ 2.988,27 |
| 15.000 | $ 0,31649 | $ 4.747,35 |
| 21.000 | $ 0,30728 | $ 6.452,88 |
| 30.000 | $ 0,30450 | $ 9.135,00 |







