Name: SI2343CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2343CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.88 USD
Availability: InStock

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SI2343CDS-T1-BE3
Número de produto da DigiKey	742-SI2343CDS-T1-BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI2343CDS-T1-BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI2343CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2343CDS-T1-BE3
Descrição	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4,2A (Ta), 5,9A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,2A (Ta), 5,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	45mOhm a 4,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	590 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3