SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

SI2314EDS-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI2314EDS-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2314EDS-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2314EDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2314EDS-T1-E3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 3,77A (Ta) 750mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,77A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	33mOhm a 5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	950mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	750mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SI2314

SI2314EDS-T1-E3