Name: SI2312CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.74 USD
Availability: InStock

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SI2312CDS-T1-BE3
Número de produto da DigiKey	742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI2312CDS-T1-BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI2312CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2312CDS-T1-BE3
Descrição	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 18 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 865 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5A (Ta), 6A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 31,8mOhm a 5A, 4,5V